삼성전자, 최첨단 반도체 '3차원 12단 기술' 최초 개발 성공
삼성전자, 최첨단 반도체 '3차원 12단 기술' 최초 개발 성공
  • 홍화영 기자
  • 승인 2019.10.08 09:59
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

DS 부사장 "인공지능, 자율주행 등 최첨단 패키징 기술 중요시 되"
고대역폭 메모리에 12단 3D-TSV 기술 적용, 용량 1.5배 증가
삼성전자는 최첨단 반도체 패키징 기술인 '12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)' 기술을 업계 최초로 개발하는 데 성공했다고 지난 7일 밝혔다. (사진-연합뉴스)
삼성전자는 최첨단 반도체 패키징 기술인 '12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)' 기술을 업계 최초로 개발하는 데 성공했다고 지난 7일 밝혔다. (사진-연합뉴스)

삼성전자가 최첨단 반도체 기술인 '3차원 12단 기술'을 최초 개발하는데에 성공했다.

삼성전자는 최첨단 반도체 패키징 기술인 '12단 3차원 실리콘 관통전극(3D-TSV)' 기술을 업계 최초로 개발하는 데 성공했다고 지난 7일 밝혔다.

12단 3D-TSV는 기존 금선(와이어)을 이용해 칩을 연결하는 대신 반도체 칩 상단과 하단에 머리카락 굵기의 20분의 1수준인 수 마이크로미터 직경의 전자 이동 통로(TSV) 6만개를 만들어 오차 없이 연결하는 첨단 패키징 기술이다.

이 기술은 종이(100㎛)의 절반 이하 두께로 가공한 D램 칩 12개를 적층해 수직으로 연결하는 고도의 정밀성이 필요해 반도체 패키징 기술 중 가장 난이도가 높은 기술이다. 3D-TSV는 기존 와이어 본딩(Wire Bonding) 기술보다 칩들 간 신호를 주고받는 시간이 짧아져 속도와 소비전력을 획기적으로 개선할 수 있는 점이 특징이다.

삼성전자는 기존 8단 적층 HBM2 제품과 동일한 패키지 두께(720㎛, 업계 표준)를 유지하면서도 12개의 D램 칩을 적층해 고객들은 별도의 시스템 디자인 변경 없이 보다 높은 성능의 차세대 고용량 제품을 출시할 수 있게 됐다.

또한 12단 3D-TSV 기술을 고대역폭 메모리에 적용해 용량 기준 8단에서 12단으로 높임으로써 1.5배 증가시킬 수 있다.

한편 디바이스솔루션(DS) 부문 백홍주 부사장은 "인공지능(AI), 자율주행 등 다양한 응용처에서 고성능을 구현할 수 있는 최첨단 패키징 기술이 중요해지고 있다"면서 "기술 한계를 극복한 이번 기술을 통해 이 분야에서도 초격차 기술 리더십을 이어갈 것"이라고 말했다.


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.

  • 서울특별시 마포구 월드컵북로 104 아이컨빌딩 2층
  • 대표전화 : 02-3142-1117
  • 팩스 : 02-3142-1118
  • 청소년보호책임자 : 박은정
  • 명칭 : (주)일요경제신문사
  • 제호 : 일요경제
  • 등록번호 : 서울 다 07690
  • 등록일 : 2007-04-25
  • 발행일 : 2007-04-25
  • 발행·편집인 : 민병호
  • 상무이사 : 송재현
  • 자문변호사 : 법무법인 광교 이종업
  • 일요경제 모든 콘텐츠(영상,기사, 사진)는 저작권법의 보호를 받은바, 무단 전재와 복사, 배포 등을 금합니다.
  • Copyright © 2019 일요경제. All rights reserved. mail to ilyo37662@naver.com
ND소프트