고속 입출력 신호 개선 설계로 통신 신호 노이즈 최소화
저전력 D램 통한 서버·고성능 컴퓨팅 등 신시장 진입 가속화

삼성전자 ‘LPDDR5X D램’ (사진-삼성전자)
삼성전자 ‘LPDDR5X D램’ (사진-삼성전자)

[일요경제 민다예 기자] 삼성전자 차세대 저전력 D램인 최신 'LPDDR5X D램'이 업계 최고 동작 속도인 '8.5Gbps'(초당 기가비트)를 구현했다. 이는 4~5기가비트(㎇)에 달하는 FHD 영화 14편을 1초만에 처리할 수 있는 능력이다.

삼성전자는 퀄컴 최신 플랫폼에서 EUV(극자외선) 기술이 적용된 14나노 기반 LPDDR5X D램 8GB 패키지의 동작 속도를 검증했다고 18일 밝혔다. 지난 3월 퀄컴 동일 플랫폼에서 7.5Gbps를 검증한지 5개월만에 동작 속도를 한층 더 높였다.

이러한 동작 속도는 이전 세대 제품인 LPDDR5의 동작 속도 6.4Gbps 대비 1.3배 빠르다. 삼성전자는 LPDDR5X D램에 메모리와 모바일AP 간 통신 신호의 노이즈 영향을 최소화해주는 핵심 회로 설계 기술인 '고속 입출력 신호 개선 설계' 등을 적용했다.

'저전력'·'고성능' 강점을 갖춘 'LPDDR D램'은 모바일 시장을 넘어 서버, 고성능 컴퓨팅(HPC), 전장(Automotive) 등 다양한 분야로 급격하게 성장하고 있다. 향후 인공지능(AI), 메타버스(Metaverse) 등으로 시장이 더욱 확대될 전망이다.

삼성전자는 “최근 PC 시장에선 크기는 작으면서도 고성능, 저전력 특성을 갖춘 메모리를 많이 찾아 LPDDR D램 채용이 늘고 있다”며 “데이터센터 등 서버 시장에서도 데이터를 처리하는 데 소요되는 전력과 에너지를 감소시킬 수 있어 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있다”고 설명했다.

이동기 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 부사장은 “퀄컴과의 협력을 통해 초고속 인터페이스 대중화를 1년 이상 앞당길 수 있게 됐다”며 “퀄컴과 차세대 메모리 표준 관련 기술 협력을 강화하는 등 메모리와 모바일 칩 간 기술 협력과 함께 초고속 메모리 시장 확대에 적극 나서겠다”고 말했다.

지아드 아즈가 퀄컴 테크놀로지 제품관리 담당 부사장은 “모바일 업계 최초로 스냅드래곤 모바일 플랫폼에서 최신 LPDDR5X를 8.5Gbps로 구현해 모바일, 게이밍, 카메라, AI 애플리케이션의 새로운 기능과 향상된 성능으로 사용자 경험을 높일 것이다”라고 말했다.

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